9月27日，2025新一代半導體晶體材料技術及應用大會在昆明開幕。本次會議在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）指導下，由云南臨滄鑫圓鍺業股份有限公司、極智半導體產業網、半導體照明網、第三代半導體產業主辦。云南鑫耀半導體材料有限公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。云南大學、昆明理工大學、云南師范大學、中國科學院半導體研究所、云鍺紅外、華光光電、南砂晶圓等單位協辦，賽迪智庫集成電路研究所、山東大學、晶體材料全國重點實驗室、山東省高功率半導體激光與應用重點實驗室等支持。
會議圍繞晶體生長技術、襯底與外延材料、光電與射頻器件、生長加工設備等等產業鏈諸多關鍵問題、最新進展，行業專家、高校科研院所及知名企業代表齊聚，共同深入探討，促進產學研用的交流合作。美國國家工程院院士、香港工程科學院院士、香港科技大學講席教授劉紀美，昆明國家高新技術產業開發區經濟發展局長鄭寶亮，云南鍺業首席科學家惠峰，工信部賽迪研究院集成電路研究所所長周峰，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長楊富華，北京大學黨委辦公室校長辦公室主任、博雅特聘教授、北大東莞光電研究院院長王新強，中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA)副理事長、中國科學院半導體研究所寬禁帶半導體材料研發中心主任王軍喜，山東大學特聘教授，晶體材料全國重點實驗室副主任陳秀芳，路明科技集團有限公司總工程師，華夏芯智慧光子科技(北京)有限公司首席科學家肖志國，廈門大學特聘教授康俊勇，中電科集團首席專家、第十八研究所研究員孫強，中國工程物理研究院上海激光等離子體研究所副總工程師、研究員隋展，中國科學院半導體研究所高技術處處長楊曉光，北京天科合達股份有限公司CTO 劉春俊，中電科集團首席專家、第十三研究所研究員孫聶楓，北方華創微電子化合物外延部門負責人楊牧龍等政府領導、業內知名專家學者、行業組織領導出席會議開幕式。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長耿博主持了開幕式環節。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長耿博主持開幕式環節
后摩爾時代 推動產業晉階式跨越發展
以新材料實現新器件、新應用正成為后摩爾時代半導體產業發展的主流路徑之一，化合物半導體作為新一代半導體材料的典型代表，已成為全球科技競爭的戰略焦點。隨著技術不斷成熟，也將成為國內培育“長板”產業的著力點。
中國科學院李樹深院士視頻致辭
全球半導體市場呈現多元化發展態勢，半導體晶體材料技術創新與產業應用也呈現多點突破之勢。中國科學院院士、中國科學院原副院長，中國科學院大學原校長，中科院半導體所原所長李樹深視頻致辭時表示，當前，面對重大歷史發展機遇，產業發展仍面臨多重技術瓶頸與產業化挑戰。展望未來，需要業界同仁戮力同心，堅定方向，在半導體關鍵材料的規模化制備技術，加速新材料研發進程等領域持續發力。
云南鍺業首席科學家惠峰致辭
云南鍺業首席科學家惠峰代表主辦方致辭時表示，當前產業企業發展都面臨著重大歷史機遇和挑戰，需要產業鏈上下一心，攜手向前。此次大會聚焦諸多關鍵議題，為產業鏈搭建了良好“問題共探、方案共享、合作共贏”的橋梁，助力攻克 “卡脖子”難題，也將會為產學研用的互通合作，以及國內產業生態建設起到很好的推動作用。期待各方以大會為契機，深化交流、協同創新，共同推動我國半導體晶體材料產業鏈實現更高水平自主可控，在全球競爭中占據優勢。
第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長，中國科學院半導體研究所原副所長楊富華致辭
當前，全球半導體產業重塑的關鍵時刻，機遇與挑戰并存。第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副理事長兼秘書長，中國科學院半導體研究所原副所長楊富華致辭表示，我國半導體晶體材料產業正處于高速發展的關鍵階段，技術突破，市場規模不斷增長，競爭力顯著提升。但也面臨著國際競爭壓力持續加劇，材料供給的自主可控能力亟待加強多重挑戰。此次會議探討技術與產業發展趨勢，凝練關鍵核心問題，探索解決之道正當時，將為我國半導體晶體材料創新與產業發展起到重要作用。聯盟也將一如既往持續為半導體產業高質量發展提供全方位支撐。
賽迪研究院集成電路研究所所長周峰致辭
化合物半導體是我國重點發展的戰略性新興產業，也是打造新時代半導體產業高質量發展的主攻方向。賽迪研究院集成電路研究所所長周峰致辭時表示，我國化合物半導體產業在材料制備、器件設計、制造工藝等方面已形成特色優勢。未來，隨著化合物半導體技術不斷成熟，還將向人形機器人、低空經濟等領域滲透應用，成為國內培育“長板”產業的著力點。產業發展需要進一步激發創新動能，加強理論創新與人才培養，支持關鍵核心技術突破和跨越發展，以更強的力度推動半導體產業實現從優化升級向做大做強的晉階式跨越。
持續堅守更新 激發創新動能
開幕大會主旨報告環節，美國國家工程院院士、香港工程科學院院士、香港科技大學講席教授劉紀美，云南鍺業首席科學家惠峰，北京大學博雅特聘教授、北大東莞光電研究院院長王新強，山東大學特聘教授、晶體材料全國重點實驗室副主任陳秀芳，路明科技集團有限公司總工程師、華夏芯智慧光子科技(北京)有限公司首席科學家肖志國，北京天科合達股份有限公司CTO劉春俊等重量級專家們領銜，帶來六大前沿主旨報告，多維度探討產業技術發展的最新進展和趨勢前瞻。廈門大學特聘教授康俊勇、中國科學院半導體研究所寬禁帶半導體研發中心主任研究員王軍喜共同主持了大會主旨報告環節。
廈門大學特聘教授康俊勇
中國科學院半導體研究所寬禁帶半導體研發中心主任研究員王軍喜
劉紀美
美國國家工程院院士、香港工程科學院院士、香港科技大學講席教授
硅基III-V器件的集成技術近年來取得顯著進展，美國國家工程院院士、香港工程科學院院士、香港科技大學講席教授劉紀美做了“用于集成的硅基III-V器件 ”的主題報告，分享了 III-V族化合物半導體在電子光子集成等方面的研究進展。
惠峰
云南鍺業首席科學家
鍺及化合物半導體晶體材料作為戰略新興材料，戰略資源屬性與高科技需求雙重驅動下，維持高景氣度。云南鍺業已建成國際先進的鍺單晶、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等光電半導體材料研發平臺，云南鍺業首席科學家惠峰做了“鍺、三五族化合物半導體單晶生長技術和產業發展”的主題報告，分享了相關最新進展。
王新強
北京大學博雅特聘教授、北大東莞光電研究院院長
氮化物半導體（如GaN、AlN）因缺乏高質量同質襯底，主要依賴大失配異質外延技術（如藍寶石襯底），但晶格失配和熱失配導致高缺陷密度問題長期制約器件性能。北京大學博雅特聘教授、北大東莞光電研究院院長王新強做了“氮化物半導體的大失配外延及其器件研究”的主題報告，分享了最新研究進展。
陳秀芳
山東大學特聘教授、晶體材料全國重點實驗室副主任
山東大學特聘教授、晶體材料全國重點實驗室副主任陳秀芳做了“碳化硅單晶材料及應用”的主題報告，分享了最新研究結果，涉及提出控制碳化硅導電性的方法，獲得高純半絕緣碳化硅，成功應用于雷達系統微波器件的制備。針對大直徑碳化硅單晶的生長難點，突破晶體生長用籽晶的擴徑技術瓶頸，獲得12英寸的碳化硅，同時大幅度降低了單晶的缺陷，獲得零螺位錯密度襯底，并實現批量生產。
肖志國
路明科技集團有限公司總工程師、華夏芯智慧光子科技(北京)有限公司首席科學家
固體發光技術通過光傳感實現高精度探測與智能感知，并通過光互連信提供高帶寬、低延遲的數據轉換和傳輸，正深刻引領著從智能制造到數字基礎設施的產業變革浪潮。路明科技集團有限公司總工程師、華夏芯智慧光子科技(北京)有限公司首席科學家肖志國做了“固體發光技術引領產業變革”的主題報告，分享了在人工智能、光互聯與半導體激光雷達等前沿產業蓬勃興起的時代背景下，固體發光技術的發展趨勢及帶來的各種變革可能性。
劉春俊
北京天科合達股份有限公司CTO
北京天科合達股份有限公司CTO劉春俊做了“大尺寸碳化硅襯底和外延產業進展”的主題報告，分享了碳化硅半導體材料領域近期的行業進展，并重點介紹北京天科合達公司在碳化硅單晶襯底、外延領域的研究進展及產業化推廣情況。
會議期間，圍繞著”化合物半導體晶體缺陷形成、表征及控制的探討？”、“AI如何重塑化合物半導體材料的“研發-制造”閉環？”、“AI驅動的應用爆發：哪些新需求將定義下一代化合物半導體的性能標桿？”“產學研協同創新：如何構建AI+化合物半導體的新生態與人才范式？”等當下產業發展的熱點議題，嘉賓們展開對話。在廈門大學特聘教授康俊勇主持下，山東大學特聘教授、晶體材料全國重點實驗室副主任陳秀芳，路明科技集團總工程師，華夏芯智慧光子科技(北京)有限公司首席科學家肖志國，南京大學教授謝自力，仕佳光子副總經理黃永光，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）/ 江蘇第三代半導體研究院有限公司，異質集成先進鍵合研發中心主任梁劍波，鑫耀半導體技術副總經理韋華等嘉賓，與現場同仁展開探討，不同視角，不同觀點信息碰撞，互通交流，氣氛熱烈。
除了重量級開幕大會，28日精彩將持續展開，圍繞鍺及化合物半導體晶體材料，光電子、射頻及應用等相關領域的技術進展、熱點前沿等，精英嘉賓匯聚分享交流技術發展新態勢。
會議同期，特別設有寬禁帶半導體技術應用專業展區，聚焦第三代半導體產業鏈，提供交流合作的平臺，推動資源高效對接，助力捕捉合作新機遇。云南鍺業、藍河科技、華光光電、北方華創、特思迪、鑫耀半導體、三禾泰達、南砂晶圓、博宏源、路明/華夏、中電科48所、國家第三代半導體創新中心（蘇州）等產業鏈代表性企業亮相，業界同仁現場互動探討，共促功率半導體全產業鏈協同發展。
