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第六届全国宽禁带半导体学术会议

发布日期：2025-03-19 浏览次数：4582 状态：

展会日期	2025-08-10 至 2025-08-13
展出城市	大连
展出地址	大连香格里拉大酒店
展馆名称	大连香格里拉大酒店
主办单位	中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会中国电子学会电子材料学分会
承办单位	大连理工大学东北师范大学第三代半导体产业技术创新战略联盟

展会说明

会议时间：2025年8月10日-13日

会议地点：中国·大连

主办单位：

中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会

中国电子学会电子材料学分会

承办单位：

大连理工大学

东北师范大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟

协办单位：

集成光电子全国重点实验室

宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

一、会议简介

近年来，宽禁带半导体已成为国际半导体及材料领域研究和发展的热点，是全球高技术竞争战略制高点之一。宽禁带半导体在照明领域已经形成巨大规模的产业，并在功率电子、射频和光电子器件等领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，促进产学研交流与协同创新，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办全国宽禁带半导体学术会议，会议每两年一届，至今已成功举办了五届，已发展成为我国宽禁带半导体领域的行业盛会。

2025年，“全国宽禁带半导体学术会议”迎来了第六届，会议由大连理工大学、东北师范大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。届时，来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。

二、组织机构

名誉主席：甘子钊、王占国、郑有炓

顾问委员会（按姓氏首字母排序）：褚君浩、杜国同、顾瑛、关白玉、郝跃、黄如、贾明星、江风益、李爱珍、李晋闽、李树深、刘纪美、刘明、刘胜、罗毅、申德振、孙祥桢、王立军、许宁生、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张国义、张荣、张跃、郑婉华

大会主席：刘益春

共同主席：沈波、杨辉、吴玲

程序委员会

主席: 徐科

副主席：黎大兵、张源涛、朱嘉崎

委员（按姓氏首字母排序）：敖金平、蔡树军、陈长清、陈敦军、陈弘、陈敬、陈堂胜、陈万军、陈小龙、陈秀芳、程凯、迟楠、单崇新、丁琪超、董博宇、冯士维、冯志红、顾书林、贺东江、黄伯宁、黄丰、黄凯、康俊勇、赖占平、李国强、梁建、刘斌、刘国友、刘建平、刘木清、刘榕、刘斯扬、刘新宇、刘扬、龙世兵、陆海、罗小蓉、马晓华、毛维、欧欣、潘毅、裴轶、彭俊彪、皮孝东、邱宇峰、盛况、孙钱、孙伟锋、孙小卫、孙晓娟、唐宁、陶绪堂、万成安、万玉喜、汪莱、王德君、王钢、王宏兴、王建峰、王江波、王军喜、王来利、王立、王新强、吴毅锋、肖国伟、徐海阳、徐士杰、徐现刚、许福军、薛玉雄、闫建昌、杨富华、叶建东、伊晓燕、于洪宇、云峰、张保平、张波、张国旗、张进成、张金风、张龙、张乃千、张清纯、郑雪峰、张玉明、赵德刚、赵丽霞、郑晨焱

组织委员会

主席: 梁红伟

副主席：陈志涛、阮军、张书明

委员（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陈鹏、陈义强、陈志忠、程红娟、方方、方文饶、房玉龙、和巍巍、黄少华、黄文海、耿博、龚政、郭清、郭世平、郭炜、郝茂盛、胡卫国、化梦媛、黄火林、黄森、何晨光、贺致远、纪志坡、贾锐、贾志泰、蒋科、矫淑杰、江灏、鞠光旭、孔月蝉、李炳生、李金钗、李述体、李忠辉、梁剑波、刘超、刘军林、刘可为、刘雯、刘新科、刘玉怀、刘召军、刘志强、刘宗亮、陆敏、吕元杰、梅云辉、马剑钢、苗振林、母凤文、牛萍娟、潘尧波、齐红基、全知觉、任国强、赛青林、桑立雯、宋波、孙海定、孙文红、孙永强、田朋飞、王光绪、王嘉铭、王茂俊、王琦、王荣华、王鑫华、王英民、魏同波、汪炼成、吴亮、吴嘉伟、吴雅苹、谢志国、徐明升、杨霏、杨兰芳、杨树、杨学林、殷红、于彤军、张佰君、张峰、张辉、张纪才、张建立、张景文、张苇杭、张嵩、张雄、张宇昊、张韵、张紫辉、赵璐冰、赵维、周春华、周弘、周琦

大会秘书处

秘书长： 张振中黄火林

副秘书长： 赵红张克雄张赫之

成员： 贾欣龙、马浩然、夏晓川、孙雨周、代建勋、柳阳、李鹏、王月飞、杨霖等

三、主要日程

四、大会主题

绿色能源与智能时代的宽禁带半导体技术

五、会议征文方向：

1.材料生长(氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等)

2.材料物性和表征技术(光、电、磁、热性质、缺陷物理等)

3.光电子器件及其应用(LED、Micro-LED、LD、光电探测器等)

4.电子器件及其应用(射频电子器件、功率电子器件、传感器及集成电路等)

5.新型宽禁带材料与器件(超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等)

6.辐射及高能粒子探测器件

征文要求：

1.符合上述内容的论文摘要；

2.论文摘要主题突出、内容层次分明、数据准确、论述严谨、结论明确、采用法定计量单位；

3.论文摘要须以WORD文档格式，包含标题、作者及其单位地址、正文、图表、参考文献等在内不超过一页A4纸；

4.提交截止日前,以电子邮件方式（投稿邮箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至会议组委会秘书组；相关模板可登录大会官网（http://www.wbsc.org.cn）或查询附件；

5.所有论文摘要均编入会议文集。

六、重要截止日期

1.论文摘要提交截止日：2025年4月30日延期至7月11日

2.报告录用通知截止日：2025年6月15日延期至7月15日

3.注册费优惠截止日：2025年7月10日

七、会议注册费

1.普通代表（A类票）：

2800元（含会议文集、日程等会议资料及会议期间相关服务）

2.学生代表（B类票）：

2300元（与普通代表会议待遇相同，但须提交相关证件）

3.7月10日前，报名缴费可享受优惠：

普通代表2500元；学生代表2000元。（享受上述相同待遇及服务）